摩尔定律走到尽头，先进封装成了延续算力增长的关键。
配资专属服务平台过去，晶圆制造和封测之间隔着一条清晰的界线——前道追求纳米级精度，后道做着切割、打线、塑封这类“粗活”。但今天，这条界线正在迅速消失。
一、算力需求重塑设备采购逻辑
AI大模型、HPC、自动驾驶对算力的渴求，让单颗芯片越做越大。然而，芯片尺寸受限于掩模版面积，更大的芯片也意味着更高的缺陷风险。更重要的是，晶体管微缩已无法解决内存墙和带宽瓶颈。
行业转而拥抱Chiplet方案：将大芯片拆分为多个芯粒，通过TSV硅通孔、RDL重布线在三维空间堆叠互联。这彻底改变了封装设备的需求——线路精度从微米级迈向亚微米级，垂直通孔要求极致精细，芯片贴合需要纳米级平整度。
原本只属于前道晶圆厂的深硅刻蚀、CMP抛光、薄膜沉积、高精度电镀设备，开始大批量进入封测车间。
二、四大核心工序的设备博弈
TSV通孔成型与填充：当前主流方案的TSV深宽比已达15:1~20:1。深硅刻蚀设备依赖Bosch工艺保证孔壁垂直光滑；电镀环节要实现自底向上无空洞填充。随着RDL线路向亚微米演进，电镀均匀控制的难度持续攀升。
键合技术新旧交替：面向HBM3e和2.5D封装，TCB热压键合仍是主力，韩美半导体、ASMPT凭借超薄芯片温控技术占据主导。与此同时，无凸块混合键合正在导入——去掉金属凸块，依靠等离子激活使介质层和铜原子直接退火熔接，互连间距可压缩至1微米以内，对位精度要求达到亚100nm。
大尺寸新型载体：为降低成本，行业正从300mm晶圆转向510×515mm方形FOPLP面板。面板边角涂胶不均，倒逼设备厂商开发专用狭缝涂布和面板光刻装备。英特尔、三星力推的玻璃基板TGV，因玻璃加工易产生微裂纹，需要超快飞秒激光打孔、湿法蚀刻、铜-玻璃异质抛光等全套工艺适配。
三维堆叠检测：芯片垂直堆叠后，传统光学显微镜已无法看到内部缺陷。三维X射线、红外干涉、超声无损检测成为标配。超薄晶圆在多轮加热后易变形，翘曲量测设备需在动态热环境下实现亚微米级监控。
三、国产设备的关键突破
国内设备企业在薄膜、键合、电镀、抛光等环节陆续实现送样验证和小规模量产。
拓荆科技基于薄膜沉积技术，搭建了完整的3D-IC键合设备矩阵。Dione-300F熔融键合机已供给国内存储、封测工厂；晶圆-晶圆混合键合设备获得客户复购并实现稳定量产。今年8月，沈阳浑南产业化基地完成主体封顶，总投资近18亿元。
盛美上海的Ultra ECP ap晶圆级电镀设备已在长电、通富、华天实现规模化量产。针对FOPLP和玻璃基板，公司推出面板级水平电镀和负压湿法蚀刻设备，攻克了大板边缘电镀均匀性难题。
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华海清科推出国内首台510×515mm板级CMP量产装备Master-P510APEX，解决了玻璃硬、铜质软导致的抛光速率选择比失衡问题，已获客户订单并进场生产。
北方华创将前道等离子刻蚀和PVD能力迁移至先进封装，PSE系列深硅刻蚀机用于TSV通孔加工，PVD设备解决了高深宽比微孔内壁种子层沉积难题。
芯碁微装7月发布国内首台适配510×515mm大板的PLP 2000直写光刻机，量产解析力达2微米，已获头部封测客户量产订单。
四、商业模式正在翻转
先进封装设备不再是“到货即用”的标准品。它与芯片架构、底部填充胶、基板材质深度绑定。设备厂商需在芯片设计早期就与Fabless、晶圆厂协同优化。一台新机进场，验证和良率爬坡往往耗费一年以上周期，一旦产线定型，替换供应商的门槛极高。
同时，行业正从单机销售走向Cluster Tools集成方案——将清洗、等离子激活、薄膜沉积、高精度键合整合到同一真空腔体内，以减少颗粒污染。
从前道制程成本高企，到先进封装引入类前道精密工艺，设备比拼早已不止机械精度。材料匹配、工艺协同、产线交付能力，才是这场长跑的关键。
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